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双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
MUN5315DW1T1参考图片

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MUN5315DW1T1

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
标准卷带
系列
-
零件状态
停產
晶体管类型
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
电阻器 - 基底(R1)
10 千欧
电阻器 - 发射极基底(R2)
-
不同Ic,Vce时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
160 @ 5mA,10V
不同Ib,Ic 时的Vce 饱和值(最大值)
250mV @ 1mA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值)
500nA
频率 - 跃迁
-
功率 - 最大值
250mW
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装
SC-88/SC70-6/SOT-363
商品其它信息
优势价格,MUN5315DW1T1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
NPN + PNP BRT Q1BSR22KOHM Q1BER4
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双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
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双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
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暂无价格
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双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
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双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
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