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FET，MOSFET - 阵列
2N7002BKV,115参考图片

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2N7002BKV,115

  • Nexperia USA Inc.
  • 最新
  • MOSFET 2N-CH 60V 0.34A SOT666
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带
系列
汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS™
零件状态
有源
FET 类型
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
340mA
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
0.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
50pF @ 10V
功率 - 最大值
350mW
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-563，SOT-666
供应商器件封装
SOT-666
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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