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FET,MOSFET - 阵列

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SIZF360DT-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET DL N-CH 30V PPAIR 3X3FDC
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带
系列
TrenchFET® Gen IV
零件状态
有源
FET 类型
2 个 N 通道(双),肖特基
FET 功能
标准
漏源电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
23A(Ta),83A(Tc),34A(Ta),143A(Tc)
不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)
4.5 毫欧 @ 10A,10V,1.9 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)
22nC,62nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1100pF,3150pF @ 15V
功率 - 最大值
3.8W(Ta),52W(Tc),4.3W(Ta),78W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-PowerPair™
供应商器件封装
6-PowerPair™
商品其它信息
优势价格,SIZF360DT-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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