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FET，MOSFET - 阵列
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IRF7507PBF

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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
HEXFET®
零件状态
Digi-Key 停产
FET 类型
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
2.4A，1.7A
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
140 毫欧 @ 1.7A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
700mV @ 250µA（最小）
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
8nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
260pF @ 15V
功率 - 最大值
1.25W
工作温度
1.25W
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
供应商器件封装
Micro8™
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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