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双极性晶体管(BJT)- 阵列
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ULN2066B

  • STMicroelectronics
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  • TRANS 4NPN DARL 50V 1.75A 16DIP
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数据手册
参数信息
参数参数值
包装
管件
系列
-
零件状态
有源
晶体管类型
4 NPN 达林顿(双)
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
1.75A
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
不同Ib,Ic 时的Vce 饱和值(最大值)
1.4V @ 2mA,1.25A
电流 - 集电极截止(最大值)
-
不同Ic,Vce时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
-
功率 - 最大值
1W
频率 - 跃迁
-
工作温度
-20°C ~ 85°C(TA)
安装类型
通孔
封装/外壳
16-PowerDIP(0.300",7.62mm)
供应商器件封装
16-PowerDIP(20x7.10)
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
双极性晶体管(BJT)- 阵列
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双极性晶体管(BJT)- 阵列
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双极性晶体管(BJT)- 阵列
TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16DIP
暂无价格
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